模拟电路设计(分立与集成英文版)/国外电子与电气工程技术丛书 (美)弗兰克 正版书籍 科技.

基本信息

商品名称：	模拟电路设计(分立与集成英文版)/国外电子与电气工程技术丛书
作者：	(美)弗兰克	开本：	16开
**：	119	页数：	847
现价：	见顶部	出版时间	(咨询特价)-01
ISBN号：	20	印刷时间：	(咨询特价)-01
出版社：	机械工业	版次：	1
商品类型：	图书	印次：	1

内容提要

弗兰克著的《模拟电路设计(分立与集成英文版)》是针对电子工程专业且致力于将模拟电子学作为自身事业的学生和集成电路设计工程师而准备的，前三章介绍二极管、双极型晶体管和MOS场效应管，注重较为传统的分立电路设计方法，有助于学生通过物理洞察力来掌握电路基础知识；后续章节介绍模拟集成电路子模块、典型模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声等集成电路内部工作原理(以优化其应用)。本书涵盖的分立与集成电路设计内容，有助于培养读者的芯片设计能力和电路板设计能力。本书**·涵盖双极型和CMOS工艺。数字电子技术中CMOS工艺占**地位，模拟电子技术则同时采用CMOS和双极型工艺，而后者是BiCMOS工艺的基本组成部分和高质量模拟芯片的工艺选择。·涵盖分立和集成电路设计。当前模拟系统的**形式依然是集成电路化，而测试和应用常需要诸如ad—rIOC分立设计的辅助功能来实现调节和接口功能。在众多的应用选择中，双极型晶体管(BJT)仍是使用广泛且可满足各种需求的分立器件。·涵盖深度半导体理论知识。模拟功能总是植根于物理现象，模拟工程师，特别是集成电路设计工程师和产品／工艺／可靠性工程师，需要精通半导体物理知识以优化电路功能。

作者简介

出生在意大利，1980年开始在美国旧金山州立大学电气工程系授课。期间获得了伊利诺伊大学香槟分校博士学位，成为该系荣誉教授。在就任现职之前，Franco博士拥有广泛的行业经验，在诸如固态物理学、模式识别、集成电路(IC)设计、医学电子、日用电子和汽车电子等领域工作过，发表论文颇丰，博士还是《DesignwithOperatiorlaIAmplifiersandAnalogIntegratedCircuits》(McGraw—HillEdtJcation，2014)和《ElectricCiruitFundamentals》(OxfordUrliversityPress，1995)两本教科书的作者。

目录

PrefaceChapter1DiodesandthepnJunction1.1TheIdealDiode1.2BasicDiodeApplications1.3OperationalAmplifiersandDiodeApplications1.4Semiconductors1.5ThepnJunctioninEquilibrium1.6EffectofExternaIBiasontheSCLParameters1.7ThepnDiodeEquation1.8TheReverse.BiasedpnJunction1.9FOrward.BiasedDiodeCharacteristics1.10DcAnalysisofpnDiodeCircuits1.11AcAnalysisofpnDiodeCircuits1.12Breakdown-RegionOperation1.13DcPowerSuppliesAppendix1A：SPICEModelsforDiodesReferencesProhiemsChapter2BipolarJunctionTransistors2.1PhysicalStructureoftheBJT2.2BasicBJTOperation2.3Thef.vCharacteristics0fBJTs2.4OperatingRegionsandBJTModels2.5TheBJTasanAmplifier／Switch2.6Small.SignalOperationoftheBJT2.7BJTBiasingforAmplifierDesign2.8BasicBipolarVoltageAmplifiers2.9BipolarVoltageandCurrentBuffersAppendix2A：SPICEModelsforBJTsReferencesProblemsChapter3MOSField-E竹ectTransistors3.1PhysicalStructureoftheMOSFET3.2TheThresholdVoltageV3.3Then-ChannelCharacteristic3.4Thei-vCharacteristicsofMOSFETs3.5MoSFETsinResistiveDcCircuits3.6TheMOSFETasanAmplifier／Switch3.7Small-SignalOperationoftheMOSFET3.8BasicMOSFETVOItageAmplifiers3.9MOSFETVoltageandCurrentBufierS3.10TheCMoSInverter／AmplifierAppendix3A：SPICEModelsforMOSFETSReferencesProblemsChapter4BuildingBlocksforAnalogIntegratedCircuits4.1DesignConsiderationsinMonolithicCircuits4.2BJTCharacteristiCSandModelsRevisited4.3MoSFETCharacteristiCSandModelsRevisited4.4Darlington，Cascode，andCascadeConfigurations4.5DifferentialPairs4.6Common-ModeRejectionRatioinDifferentialPairs4.7InputOffsetVoltage／CurrentinDifferentialPairs4.8CurrentMirrors4.9DifferentiaiPairswithActiveLoads4.10BipolarOutputStages4.11CMOSOutputStagesAppendix4A：EditingSPICENetlistsReferencesProblemsChapter5AnalogIntegratedCircuits5.1ThebtA741OperationalAmplifer5.2TheTwo-StageCMOSOperationalAmplifier5.3TheF10lded.CascodeCMOSOperationalAmplifier5.4VoltageComparators5.5CurrentandVoltageReferences5.6Current-ModeIntegratedCircuits5.7FullyDifferentialOperationalAmplifiers5.8Switched.CapacitorCircuitsAppendix5A：SPICEMacro—ModelsReferencesProblemsChapter6FrequencyandTimeResponses6.1High-FrequencyBJTModel6.2High-FrequencyMOSFETModel6.3FrequencyResponseofCE／CSAmplifiers6.4FrequencyResponseofDifferentialAmplifiers6.5BipolarVoltageandCurrentBuffers6.6MOSVoltageandCurrentBUffers6.7Open-CircuitTime-Constant(OCTC)Analvsis6.8FrequencyResponseofCascodeAmplifiers6.9FrequencyandTransientResponsesofOpAmps6296.10DiodeSwitchingTransients6396.11BJTSwitchingTransients6446.12TransientResponseofCMOSGatesandVoltageComparatorsAppendix6A：TransferFunctionsandBodePlotsReferencesProblemsChapter7Feedback，Stability,andNoise7.1Negative-FeedbackBasics7.2EffectofFeedbackonDistortion-Noise,andBandwidth7.3FeedbackTopologiesandClosed-LoopI／OResistances7.4PracticalConfigurationsandtheEffectofLoading7.5ReturnRatioAnalysis7.6Blackman’SImpedanceFormulaandInjectionMethods7.7StabilityinNegative-FeedbackCircuils7.8Dominant-PoleCompensation7.9FrequencyCompensationofMonolithicOpAmps7.10NoiseReferencesProblemsIndex

精彩导读